一、不在路檢測
這種方法是在ＩＣ未焊入電路時進行的，一般情況下可用萬用表測量各引腳對應于接地引腳之間的正、反向電阻值，并和完好的ＩＣ進行比較。
二、在路檢測
這是一種通過萬用表檢測ＩＣ各引腳在路（ＩＣ在電路中）直流電阻、對地交直流電壓以及總工作電流的檢測方法。這種方法克服了代換試驗法需要有可代換ＩＣ的局限性和拆卸ＩＣ的麻煩，是檢測ＩＣ最常用和實用的方法。
?。保诼分绷麟娮铏z測法
這是一種用萬用表歐姆擋，直接在線路板上測量ＩＣ各引腳和外圍元件的正反向直流電阻值，并與正常數(shù)據(jù)相比較，來發(fā)現(xiàn)和確定故障的方法。測量時要注意以下三點：
(1)測量前要先斷開電源，以免測試時損壞電表和元件。
(2)萬用表電阻擋的內部電壓不得大于６Ｖ，量程最好用Ｒ×１００或Ｒ×１ｋ擋。
(3)測量ＩＣ引腳參數(shù)時，要注意測量條件，如被測機型、與ＩＣ相關的電位器的滑動臂位置等，還要考慮外圍電路元件的好壞。
?。玻绷鞴ぷ麟妷簻y量法
這是一種在通電情況下，用萬用表直流電壓擋對直流供電電壓、外圍元件的工作電壓進行測量；檢測ＩＣ各引腳對地直流電壓值，并與正常值相比較，進而壓縮故障范圍，找出損壞的元件。測量時要注意以下八點：
(1)萬用表要有足夠大的內阻，至少要大于被測電路電阻的１０倍以上，以免造成較大的測量誤差。
(2)通常把各電位器旋到中間位置，如果是電視機，信號源要采用標準彩條信號發(fā)生器。
(3)表筆或探頭要采取防滑措施。因任何瞬間短路都容易損壞ＩＣ?？刹扇∪缦路椒ǚ乐贡砉P滑動：取一段自行車用氣門芯套在表筆尖上，并長出表筆尖約０．５ｍｍ左右，這既能使表筆尖良好地與被測試點接觸，又能有效防止打滑，即使碰上鄰近點也不會短路。
(4)當測得某一引腳電壓與正常值不符時，應根據(jù)該引腳電壓對ＩＣ正常工作有無重要影響以及其他引腳電壓的相應變化進行分析，才能判斷ＩＣ的好壞。
(5)ＩＣ引腳電壓會受外圍元器件影響。當外圍元器件發(fā)生漏電、短路、開路或變值時，或外圍電路連接的是一個阻值可變的電位器，則電位器滑動臂所處的位置不同，都會使引腳電壓發(fā)生變化。
(6)若ＩＣ各引腳電壓正常，則一般認為ＩＣ正常；若ＩＣ部分引腳電壓異常，則應從偏離正常值最大處入手，檢查外圍元件有無故障，若無故障，則ＩＣ很可能損壞。
(7)對于動態(tài)接收裝置，如電視機，在有無信號時，ＩＣ各引腳電壓是不同的。如發(fā)現(xiàn)引腳電壓不該變化的反而變化大，該隨信號大小和可調元件不同位置而變化的反而不變化，就可確定ＩＣ損壞。
(8)對于多種工作方式的裝置，如錄像機，在不同工作方式下，ＩＣ各引腳電壓也是不同的。
?。常涣鞴ぷ麟妷簻y量法
為了掌握ＩＣ交流信號的變化情況，可以用帶有ｄＢ插孔的萬用表對ＩＣ的交流工作電壓進行近似測量。檢測時萬用表置于交流電壓擋，正表筆插入ｄＢ插孔；對于無ｄＢ插孔的萬用表，需要在正表筆串接一只０．１～０．５μＦ隔直電容。該法適用于工作頻率比較低的ＩＣ，如電視機的視頻放大級、場掃描電路等。由于這些電路的固有頻率不同，波形不同，所以所測的數(shù)據(jù)是近似值，只能供參考。
?。矗傠娏鳒y量法
該法是通過檢測ＩＣ電源進線的總電流，來判斷ＩＣ好壞的一種方法。由于ＩＣ內部絕大多數(shù)為直接耦合，ＩＣ損壞時（如某一個ＰＮ結擊穿或開路）會引起后級飽和與截止，使總電流發(fā)生變化。所以通過測量總電流的方法可以判斷ＩＣ的好壞。也可用測量電源通路中電阻的電壓降，用歐姆定律計算出總電流值。
以上檢測方法，各有利弊，在實際應用中最好將各種方法結合起來，靈活運用。
如何借助萬用表檢測可控硅
可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種，都是三個電極。單向可控硅有陰極（K）、陽極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T2極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（G）。
1、單、雙向可控硅的判別：先任測兩個極，若正、反測指針均不動（R×1擋），可能是A、K或G、A極（對單向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G極（對雙向可控硅）。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極，剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復測，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極，余下是T2極。
2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋，對于1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極，指針應指示幾十歐至一百歐，此時可控硅已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流?。?。然后瞬時斷開A極再接通，指針應退回∞位置，則表明可控硅良好。
對于1~6A雙向可控硅，紅筆接T1極，黑筆同時接G、T2極，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極，指針應指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）。然后將兩筆對調，重復上述步驟測一次，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發(fā)電壓（或電流）小。
若保持接通A極或T2極時斷開G極，指針立即退回∞位置，則說明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞?？砂磮D2方法進一步測量，對于單向可控硅，閉合開關K，燈應發(fā)亮，斷開K燈仍不息滅，否則說明可控硅損壞。
對于雙向可控硅，閉合開關K，燈應發(fā)亮，斷開K，燈應不息滅。然后將電池反接，重復上述步驟，均應是同一結果，才說明是好的。否則說明該器件已損壞。