會自動進行重測(連續(xù)的重測亦會起到延時的效果)。而延遲時間加得太長，會影響到測試時間。
12. 關于“-1”的使用場合: +/-Lm%可設為“-1”,以忽略其限制. 經(jīng)驗表明,以下幾種情況不提倡使用“-1”.
a) 小電阻(如1.0~2OHM), -Lm%勿取-1(0電阻除外),要確保能測出連錫短路;
因過小的電阻一般在Open/Short測試時,無法檢出連錫.
b) DIODE反向壓降測試, +Lm%勿取-1,因探針接觸不佳開路時,電壓降更大;
c) 電容極性測試, -Lm%勿取-1,因探針接觸不佳開路時,電流會更小.
雖然因探針接觸不佳開路時,DIODE 的正向測試或電容容值會FAIL,但RETRY時僅就不良步驟進行再測試.
13. 對于無法準確測試的情形,比如:大電阻并聯(lián)大電容,過小的小電容等,可考慮修改Stand_V和放大+/-Lm%而保留測試. 無論如何,不要釆取刪略(Skip)的下策. 雖然有時這顆組件既便漏件也不可測,但并不表示錯成其它任何組件都不可測.
14. 據(jù)時間常數(shù)τ=RC,且系統(tǒng)對大電阻提供的電流源會比小電阻小,故在整個網(wǎng)絡中,大電阻須延時的機會會比小電阻多. 遇大電阻,按F7學習后,如得到的測量值不甚接近實際值或者不穩(wěn)定,則可設DLY為10或以上,再按F7學習. 如果延時須要太久,可考慮釆用HIGH SPEED MODE R//C.
15. 在線路圖和零件表上沒有列出電感值的電感，可以按下F8鍵，以所量到的電感值當做標準值。對于感值在mH級以上的電感(包括變壓器, 繼電器等線圈),均補增R模式測試,且延時必須為10以上,亦考慮設RPT為5或D,使其呈現(xiàn)為較小電阻(此為防范選錯針號,以及更確保測出內(nèi)部開路的必要步驟).
16. 所有電感,包括變壓器(Transformer),繼電器(Relay),高壓包(LOT)等線圈,原則均宜采用電感(L)模式測試,以確保測出短路或者錯件及不良。有些電感測試能力較差的品牌，往往將其當作跳線或者小電阻來測試，僅能測出開路。$Page_Split$
17. 選擇低頻(MODE1)測試小電感時,同小電阻類似,測量值受探針接觸電阻影響較大,可將上限適當放寬至50以上.
18. 關于電容極性測試, 一般可按如下方法試之:
i. 設ACT_V為5~10V, (初設9V,試之不佳,再考慮將其改為5V等.)
ii. MODE為6 (<20mA) (一般電流越大越好)
iii. STD_V為0.2~0.5mA (此設定以可完全準確測出插反為準,可更大些.)
iv. HI-PIN為電容陽極
v. LO-PIN為電容陰極.
vi. -LM% 可設至60~90.
19. 作為旁路的小電容, 一般上限充許較大誤差, 確保最低值滿足要求即可. 精度要求非常高的電容另慮.
20. 對于100pF以下的小電容,如果不穩(wěn)定,上限可寬至40~80.
21. 對于3nF以下的電容,按F7學習失敗,可試蓍在Offset設定200,500,2000等等,再按F7學習,如在生產(chǎn)中欲重新學習,最好先去除Offset,再按如前所述試之.
22. 大電容有時會遭誤判，可以將該大電容的高低點互換試之。對于40uF以上的電容,按F7學習釆用MODE4測試,如果測量值不接近實際值,可將MODE改為8再試. 因大電流充電,其充電曲線較陡.
23. 所有二極管均釆用正,反向雙步測試. 以更確保測出插反或錯件,乃至組件不良. 具體方法:
按CTRL+ENTER插入一步后,分別將Stand_V設置為9.9V, MODE為1, RPT為5/D, 如并聯(lián)大電容,則要足夠延時. 再按F8得Meas_V, 然后以Meas_V修改Stand_V, 設+/-Lm%為20~30(不提倡使用-1).
24. 對于SMD板,在參數(shù)設置時,要注意一般不要讓ICT加到UUT的電壓超過3V(一般IC的工作電壓)左右為宜.
25. 對于計算機主板,宜增加一步VCC與GND之間的電阻測試,并加足夠的延時.