一信號(hào)源與Guarding Pin

1電流源

利用額定電流(已知確定的電流)為信號(hào)源提供測(cè)試R，并量測(cè)R電壓值，根據(jù)安培定理算出R，此方式以電阻量測(cè)最普遍。

2 電壓源

用額定電壓源(已知確定的電壓)為信號(hào)源提供測(cè)試C或L，量測(cè)C或

電流值，此方式以應(yīng)用在大電容、電感量測(cè)最普遍。

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3 Guarding Pin

電流源信號(hào)時(shí)：電流會(huì)在HI-PIN通過C1、R1分流，因此會(huì)提供G1、G2點(diǎn)隔離，此時(shí)，Vhi=VG1=VG2,因此，GUARD PIN位于HI-PIN串聯(lián)點(diǎn)，即高點(diǎn)分枝點(diǎn)。

電壓源信號(hào)時(shí)：為防止節(jié)點(diǎn)LO有外電流通過C1、R1流入，應(yīng)加G1、G2點(diǎn)隔離，此時(shí)，Vlo=VG1=VG2，因此，GUARD PIN位于HO-PIN串聯(lián)點(diǎn)，即低點(diǎn)分枝點(diǎn)。

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二電阻、電容、電感量測(cè)原理

1、電阻使用固定電流模式(mode0)，針對(duì)相應(yīng)值提供相應(yīng)電流，此電流由TCB提供，規(guī)格如下：

范圍	電流
1-299.9Ω	5mA
300-2.99KΩ	500uA
3K -29.9KΩ	50uA
30K -299.9KΩ	5uA
300K-2.99MΩ	0.5uA
3M-40MΩ	0.1uA

 

2、不同阻抗的電容或電感，ICT本身會(huì)自動(dòng)選擇一個(gè)適當(dāng)?shù)念l率AC電壓源作為測(cè)試信號(hào)源，使用(mode0,mode1,mode2,mode3)以及所對(duì)應(yīng)的測(cè)試，已知V，f，量測(cè)I，可由公式求出C或L。

Debug mode	Signal source	Capacitor	(Inductor)
0	1KHZ	400PF-30UF	6mH-60H
1	10KHZ	40PF-4UF	600mH以下
2	100KHZ	1PF-40UF	6mH以下
3	1MHZ	1PF-300PF	1uH-60uH

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3、             交流相位(AC phase)測(cè)試模式(mode3,mode4,mode5)

提供AC電壓源，利用相位角度的領(lǐng)先、落后方式而得知被測(cè)電阻值。

Signal	Range(L)	Range(R)
1KHZ	600mH-60H	5Ω-300KΩ
10KHZ	60mH-600mH	5Ω-40KΩ
100KHZ	6mH-60mH	5Ω-4KΩ

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4、低固定電流源(Low constant current)模式(mode1)

    該測(cè)試方法和固定電流源模式一樣，只是提供的電流大小會(huì)低一個(gè)數(shù)量級(jí)，在被測(cè)電阻于電路上若有并聯(lián)二極管或是IC Clamping diode，對(duì)于電阻兩端測(cè)量電壓值若超過0.5V-0.7V時(shí)，因?yàn)槎O管導(dǎo)電的關(guān)系，該電阻兩端電壓將被維持在0.5V-0.7V左右，只要將原先的電流源降低一級(jí)即可。

Range	Current
1-299.9Ω	500uA
300-2.99KΩ	50uA
3K-29.9KΩ	5uA
30K-299KΩ	0.5uA
300K-2.99MΩ	0.1uA

當(dāng)V>0.7V時(shí)，D會(huì)導(dǎo)通，形成分流。

例如：測(cè)2K的電阻時(shí)，使用 mode0：2K*0.5mA=1V>0.7V,

此時(shí)，應(yīng)選mode1：2K*0.05mA=0.1V<0.7V。$Page_Split$

 

5、快速(High-Speed)測(cè)試模式(mode2)

    被測(cè)電阻并聯(lián)0.3MF以上電容時(shí)，用固定電流源測(cè)試時(shí)，讓電容充電均和，需要花費(fèi)很長(zhǎng)的時(shí)間，特別是電阻本身值很大時(shí)，測(cè)試電流更小，所用時(shí)間會(huì)更長(zhǎng)，解決辦法可以將固定DC電流源改為0.2VDC固定電壓源，直接接于被測(cè)電阻兩端，如此短暫霎時(shí)間內(nèi)使其Ic=0，時(shí)，V=Ir*R=>R=V/Ir

 

6、DC固定電流(DC constanr Current)測(cè)試模式(mode4)

    3UF以上電容值的電容，若使用AC電壓模式測(cè)試時(shí)，將要較低頻率來(lái)測(cè)試，而增加ICT測(cè)試時(shí)間，故可利用電容充電曲線的斜率方式得知電容值。

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7、齊納二極管(zener Diode)測(cè)試原理(mode0,mode1)

    齊納二極管的測(cè)試和二極管的測(cè)試一樣，都是TCB提供電壓源，再由DC從兩端量回電壓，其差異只在電壓源不同，其電壓源：

a.0-10V /20mA可程序電壓源

b.0-10V /3mA可程序電壓源

    由Vx兩端量負(fù)載電壓，齊納二極管反向量測(cè)，二極管正矢量測(cè)。

 

8、晶體管測(cè)試原理

晶體管測(cè)試需要三步驟：

a.B-E腳使用二極管測(cè)試方式

b.C-E腳使用二極管測(cè)試方式

c.E-C腳使用Vcc的飽和電壓值及截止電壓值的不同，來(lái)測(cè)試晶體管是否反件，需從a.b兩步判斷出晶體管屬NPN或PNP型，Guard點(diǎn)為B腳，Mode選擇NPN或PNP，并測(cè)量出E-C腳正向飽和電壓值0.2V左右。

元件名稱	高點(diǎn)	低點(diǎn)	隔點(diǎn)	信號(hào)	測(cè)試
Q-B-E	B	E		0	D
Q-B-C	B	C		0	D
Q-C-E	C	E	B	4	Q